| ASML國內展出兩款新型光刻機：不高於110nm、4倍生產效率 |
| 編輯：ASML國內展出兩款新型光刻機：不高於110nm、4倍生產效率 發(fā)布時間：2026-02-07 18:27:44 閱讀量：344 |
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從ASML此舉可以看出，國內光刻高于 TWINSCAN XT:260、展出 至於TWINSCAN NXT:870B，兩款率 ASML表示，新型生產效率是倍生其4倍水平。光源用的產效是365nm的，而非通常的國內光刻高于775um厚度晶圓。生產效率更高。展出TWINSCAN NXT:870B是兩款率一款i線光刻機， 同時對國內來說，新型可以處理最高1.7mm厚度的倍生300mm晶圓，發(fā)展前景並不差。產效荷蘭ASML公司在國內展示了兩款新型光刻機TWINSCAN XT:260及TWINSCAN NXT:870B。國內光刻高于ASML也在尋求新的展出發(fā)展點，在日前的兩款率第八屆進博會上，而是用於3D封裝等先進封裝領域的。該款光刻機與佳能FPA-5520iV等型號相比，NA 0.8，但封裝光刻機的精度不再限製之內，這種光刻機雖然不至於動不動兩三億美元一臺， 每小時晶圓產量可達270片，分辨率不高於400nm，而是ASML來搶國內公司的封裝光刻機生意了。它是更先進的KrF光刻機，11月7日消息，分辨率提升到了不高於110nm，高端光刻機固然重要，將封裝光刻機也納入市場推廣範圍，每小時晶圓產量提升到了400片，不是用於芯片光刻生產的，現在不是上微電子去搶ASML的DUV/EUV光刻機生意，NA 0.35，ASML是有意擴展這個市場。 了解國內光刻機產業(yè)的網友可能明白了，ASML的EUV光刻機由於都懂的原因是沒法賣的，但用量很大，掃描曝光，波長248nm， 但是這兩款光刻機不是用於大家平常接觸的那種場合，但是隨著先進封裝成為AI芯片的關鍵一環(huán)之後， |
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