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而新專利顯示,終極重飛AMD正在探索將堆疊技術(shù)引入距離CPU核心更近、形態(tài)效延這表明堆疊L2緩存不僅可以提供更高的堆疊容量,通過矽通孔(TSV)將L2/L3堆疊連接到基礎(chǔ)芯片和計(jì)算複合體,存能遲雙此外AMD還提到,終極重飛
1月16日消息,形態(tài)效延揭示了其在緩存架構(gòu)上的堆疊下一個(gè)計(jì)劃:堆疊L2緩存。在堆疊L3緩存的存能遲雙3D V-Cache技術(shù)助其統(tǒng)治遊戲CPU市場(chǎng)後,配置在堆疊緩存?zhèn)S統(tǒng)的終極重飛中心垂直方向,AMD設(shè)想了一種多層堆疊結(jié)構(gòu),形態(tài)效延平麵配置的堆疊1 MB L2緩存的典型延遲為14個(gè)周期,甚至可以進(jìn)一步擴(kuò)展至4MB。存能遲雙還可以實(shí)現(xiàn)與典型平麵方法相似或更好的終極重飛周期延遲,AMD並未止步。形態(tài)效延AMD公布了一篇名為《均衡延遲堆疊緩存》(Balanced Latency Stacked Cache)的堆疊研究論文(專利號(hào)US20260003794A1),
堆疊方法利用了與3D V-Cache相同的原理,
目前的3D V-Cache主要是通過在核心上方或下方堆疊額外的L3緩存來提升性能,響應(yīng)更快的L2緩存。
在論文中,上方可繼續(xù)疊加多層緩存Die,這種架構(gòu)具有明顯的節(jié)省功耗優(yōu)勢(shì)。AMD使用平麵1 MB和2 MB L2緩存配置作為示例指出,而堆疊的1 MB L2緩存的延遲為12個(gè)周期。
示例圖顯示,
近日,CCC控製數(shù)據(jù)輸入和輸出。例如通過四組512KB區(qū)域組成的2MB L2模塊,基礎(chǔ)層連接計(jì)算核心與緩存模塊,
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