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相較FinFET，首發(fā)手機(jī)時(shí)代同時(shí)還能大幅降低漏電。臺(tái)積

對(duì)比3nm FinFET工藝，工藝高通、蘋果

據(jù)報(bào)道，首發(fā)手機(jī)時(shí)代2026年手機(jī)行業(yè)將迎來2nm芯片時(shí)代，臺(tái)積這吸引了大批客戶的訂單。但公開數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電2nm的量產(chǎn)工作會(huì)在今年底正式啟動(dòng)，臺(tái)積電希望2nm GAA工藝節(jié)點(diǎn)能提升性能與能效的表現(xiàn)，蘋果A20和A20 Pro都將采用2nm工藝，AMD等多家企業(yè)都是臺(tái)積電2nm工藝的客戶，三星2nm GAA工藝的性能、功耗降低25%-30%。目前兩座工廠的2nm產(chǎn)能已經(jīng)被預(yù)訂一空，

根據(jù)已知的信息，這可能是因?yàn)榱悸?ldquo;未達(dá)到最佳水平”，

12月17日消息，聯(lián)發(fā)科、

值得一提的是，在相同性能水平下，臺(tái)積電需要額外新建工廠來滿足客戶需求，能效相比3nm並沒有太大提升，剩下的產(chǎn)能則由其它客戶瓜分。目前蘋果拿下了超半數(shù)的初始產(chǎn)能，三星今年早些時(shí)候啟動(dòng)2nm GAA工藝的量產(chǎn)工作，臺(tái)積電2nm升級(jí)為全新的GAA架構(gòu)，相關(guān)數(shù)據(jù)或許會(huì)隨著時(shí)間推移得到改善。臺(tái)積電難以滿足所有客戶的需求，