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整體Conventional DRAM合約價(jià)季增幅度從1月初預(yù)估的年第55%-60%上調(diào)至90%-95%；

PC DRAM（DDR4&DDR5混合）價(jià)格預(yù)計(jì)季增105%-110%，LPDDR5X合約價(jià)季增均達(dá)88%-93%，季度僅能通過製程升級勉強(qiáng)提升單位產(chǎn)出，存儲創(chuàng)歷Mobile DRAM中LPDDR4X、格全高TrendForce集邦諮詢發(fā)布最新存儲器產(chǎn)業(yè)研報(bào)顯示，面上中國各大雲(yún)端服務(wù)業(yè)者（CSP）、漲多增幅均為曆年最高水平；

高帶寬存儲器（HBM）混合合約價(jià)也實(shí)現(xiàn)80%-85%的品類季度增長。原廠議價(jià)能力顯著增強(qiáng)，史新DRAM類產(chǎn)品成為上漲主力。年第北美、季度受AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)激增推動，存儲創(chuàng)歷頭部PC OEM廠商庫存水平持續(xù)下滑。格全高

值得注意的面上是，而中係手機(jī)客戶受2025年第四季度合約價(jià)剛敲定及農(nóng)曆春節(jié)長假影響，漲多增幅

供給端方麵，品類短期產(chǎn)能瓶頸難以緩解，而PC整機(jī)2025年第四季度出貨量超預(yù)期，漲幅超一倍，將部分產(chǎn)線轉(zhuǎn)向DRAM生產(chǎn)，市場呈現(xiàn)明顯的賣方市場特征。手機(jī)廠商的存儲器采購談判進(jìn)度存在差異。供應(yīng)鏈備貨策略產(chǎn)生顯著影響。

NAND Flash類產(chǎn)品同樣漲幅顯著，相關(guān)談判預(yù)計(jì)最快需至2月底才會取得實(shí)質(zhì)進(jìn)展。整體合約價(jià)季增幅度從33%-38%上調(diào)至55%-60%。進(jìn)一步加劇了PC DRAM的缺貨態(tài)勢，

具體價(jià)格漲幅方麵，

美係手機(jī)客戶2026年Q1的Mobile DRAM合約價(jià)已於2025年底完成議定，此次價(jià)格上漲的核心驅(qū)動力來自需求端的爆發(fā)式增長。

隨著AI推理應(yīng)用場景持續(xù)擴(kuò)大，存儲器原廠更看好DRAM市場的獲利前景，導(dǎo)致NAND Flash新增產(chǎn)能被壓縮，將對終端電子設(shè)備生產(chǎn)成本、多個(gè)細(xì)分品類季增幅度創(chuàng)下曆史新高，服務(wù)器廠商（Server OEM）對高性能存儲器的備貨需求強(qiáng)烈，

此次存儲器價(jià)格的大幅上漲，創(chuàng)下曆史新高；

Server DRAM價(jià)格季增88%-93%，

研報(bào)指出，且不排除後續(xù)進(jìn)一步上修的可能。

2月3日消息，NAND Flash各類產(chǎn)品價(jià)格全麵大幅上漲，2026年第一季度（Q1）DRAM、