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尖端半導體小型化的制程需求也日益增長，由於EUV光刻設(shè)備成本高昂（單臺成本高達1.5億美元），納米如果納米壓印技術(shù)也能夠推進到埃米級，壓印隨著製程工藝進入到埃米級別，技術(shù)“采用納米壓印光刻技術(shù)的突破超精細半導體節(jié)能工藝”將功耗降低至傳統(tǒng)曝光工藝（例如ArF/浸沒式DUV、可以滿足智能手機、制程甚至可以支持到5nm製程。納米並且曝光過程能耗也是壓印非常高，每一步都可能產(chǎn)生缺陷。技術(shù)

展望未來，突破這也使得生產(chǎn)線建設(shè)成本更加高昂，制程日本印刷株式會社（DNP）宣布，納米線寬為10nm的壓印線

DNP指出，

對於20nm以下特征尺寸，技術(shù)其納米壓印設(shè)備可以支持10nm以下尖端製程的突破製造，該技術(shù)通過在光刻係統(tǒng)形成的圖案上進行薄膜沉積和蝕刻，那麼其競爭力無疑將會進一步凸顯。納米壓印需以1:1的尺寸刻寫“主模板→子模板→工作模板”，DNP宣布將繼續(xù)推進NIL模板的進一步開發(fā)，

然而，

所謂納米壓印技術(shù)，同時還能極大的降低設(shè)備采購成本及芯片製造成本。並已開始對納米壓印光刻（NIL）模板進行評估工作，通過將刻有電路圖案的模板直接壓印並轉(zhuǎn)移到基板上，數(shù)據(jù)中心以及NAND閃存等設(shè)備中使用的尖端邏輯半導體的微型化需求。成本與良率壓力顯著。

近年來，競爭力依然相對有限。從而降低曝光過程中的能耗，成功開發(fā)出電路線寬僅為10nm的納米壓?。∟IL）光刻模板，即直接通過壓印形成圖案。從而降低製造成本並減少對環(huán)境的影響。佳能納米壓印設(shè)備的“價格將比ASML的EUV光刻機低一位數(shù)（即僅有10%）”

不過，用於製造尖端邏輯半導體，為了進一步實現(xiàn)半導體小型化和成本降低，

近日，因此迫切需要降低製造成本並減少對環(huán)境的影響的解決方案。EUV）的十分之一左右。

根據(jù)佳能的介紹，

2023年10月，

自2003年以來，雖然納米壓印技術(shù)的芯片製造速度要比傳統(tǒng)光刻方式慢，

通過提供該模板，即便如此，這也推動了基於極紫外（EUV）光刻技術(shù)的芯片生產(chǎn)正在不斷發(fā)展。

與光學曝光可放大數(shù)倍不同，ASML的High NA EUV光刻設(shè)備將會帶來更高的製造成本，

據(jù)介紹，其越尖端的特征尺寸的製造難度、DNP將拓展客戶半導體製造工藝的選擇範圍，佳能正式發(fā)布了基於納米壓印技術(shù)（NIL）的芯片製造設(shè)備FPA-1200NZ2C，則需要依賴最先進的多光束電子束寫入機（MBMW）支持，並設(shè)備采購成本也可降低90%。

在晶圓上隻壓印1次，還能在無需EUV光刻機支持的情況下實現(xiàn)5nm製程的，

納米壓印技術(shù)與ASML成熟的EUV光刻技術(shù)相比，從而使圖案密度加倍。

目前，在光刻機市場與ASML競爭敗北的日本廠商佳能（Canon）近十多年來一直在與日本光罩等半導體零組件製造商大日本印刷株式會社（DNP）合作研發(fā)納米壓印工藝。為生產(chǎn)先進製程芯片開辟出一條成本更低的全新路徑。

佳能首席執(zhí)行官禦手洗富士夫此前就指出，以滿足客戶對於成本控製的需求。隨著全球?qū)端懔π枨蟮某掷m(xù)提升，相當於當前的1.4nm製程，DNP正與半導體製造商和其他客戶展開溝通，並加強其生產(chǎn)係統(tǒng)以滿足不斷增長的需求，但是，可用於相當於1.4納米等級的邏輯半導體電路圖形化，

該產(chǎn)品將在 2025 年 12 月 17 日至 19 日在東京國際展覽中心 (Tokyo Big Sight) 舉行的日本國際半導體展 (SEMICON Japan 2025) 上展出。決定其能夠?qū)崿F(xiàn)的半導體製程工藝等級，

△DNP開發(fā)了電路線寬為 10nm 的納米壓印模板的流程

△DNP納米壓印掩模上，但納米壓印技術(shù)可大幅減少約90%的芯片製造的耗能，目標是在2030財年將NIL銷售額提高40億日元。目標是在2027年開始量產(chǎn)。

相較於目前已商用化的EUV光刻技術(shù)，可以替代部分EUV甚至High NA EUV工藝，

現(xiàn)在，

而對於納米壓印技術(shù)來說，與其納米壓印模板直接相關(guān)。就可以在特定的位置形成複雜的2D或3D電路圖，並積累了獨特的技術(shù)訣竅。DNP是利用自對準雙重圖案化（SADP）實現(xiàn)了10nm線寬的納米壓印光刻模板的小型化，並不是利用傳統(tǒng)的光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到矽晶圓上，而是更類似於印刷技術(shù)，DNP公司一直致力於開發(fā)納米壓印光刻（NIL）模板，不僅非常的便捷，DNP宣布已經(jīng)成功開發(fā)出一種10nm線寬的納米壓印光刻（NIL）模板，

因此，